艾俊盛
项目主导者, 总经理

2005年从事半导体封装行业 ， 从业20年；

国内自主研发半导体放电管器件叠加技术；

国内将外沟槽工艺应用于半导体放电管的芯片制造；

半导体放电管器件超低容技术开发者 ， 并广泛应用于视频传输端品的保护；其浪涌能力 ＞4KV时 ，结电容典型值 ：9pF ，其浪涌能力 ＞6KV时 ，结电容典型值 ：15pF；

2021年4月成功研发 一款用于仪器仪表SCT系列专用IC。

掌握半导体分立器件封装设计 , 工艺 , 设备等核心资源 , 擅长封装工艺和产品设计 ， 负责客户的产品导入 ,前期规划 、 新品  开发及技术支持。

金宝兴

苏州亿芯微电子技术有限公司    技术总工

1984年从事芯片制造行业 ， 从业41年；

为西安卫光解决VC  ES饱和压降课题；

研发制造600V高压达林顿芯片 ， 至今运用于军工雷达；

自主研发2款芯片应用于摩托罗拉2N3055& 2N3773产品；

自主研发1款芯片应用于神州六号点火系统。

掌握芯片设计 , 工艺 , 设备等核心资源 ,擅长芯片工艺和产品设计 负责产品前期规划 、 导  入 ,新品开发及技术支持。

乔华长

苏州亿芯微电子技术有限公司    设计师

1991年从事芯片设计和制造行业 ， 从业34年；

自主研发制作微波功率器件和单片微波集成电路；

自主研发制作半导体放电管；

自主研发制作多款电路 ， 用于信号任务；

组织放电管 、 TVS以及ES D产品。

掌握芯片设计 , 工艺 , 设备等核心资源 ,擅长芯片工艺和产品设计 ， 负责芯片设计 、 新品开发  及技术支持。